Физика

Ультратонкие слои на кремниевых подложках имеют важное значение для техники и исследований. Кристаллические кремниевые солнечные элементы, как правило, покрывают слоями SiN для пассивирования и придания противоотражающих свойств.

Точное определение абсолютных значений пропускания и отражения значений в ИК-диапазоне является предметом растущего интереса, например, при разработке оптических фильтров, зеркал или оконного стекла, а также в ряде направлений исследований.

Устройств на основе кремния, такие как интегральные схемы, играют важную роль в повседневной жизни. Кроме того, учитывая ограниченные запасы ископаемого топлива, солнечные элементы на основе кремния приобретают все большее и большее значение.

В настоящее время большинство электронных устройств работают под управлением процессора на кремниевом чипе. Кроме того, рынок фотоэлектрических элементов значительно вырос с начала тысячелетия, и подавляющее большинство солнечных элементов также основаны на кремнии.

Тонкопленочные слои кремния широко применяются в солнечных панелях, фотоэлектрических устройствах и тонкопленочных транзисторах, например для TFT-экранов. На протяжении последних нескольких лет солнечные элементы на основе кремния, принадлежащие к области возобновляемой энергетики, приобрели особую актуальность, т.к. они позволяют решить проблему глобального потепления, вызванную потреблением ископаемого топлива.

За последние два десятилетия многие исследователи в различных областях приложили много усилий к разработке новых свойств мета-материалов, в частности оптических.

ИК-Фурье-спектроскопия является мощным и широко используемым аналитическим инструментом. Однако не всем известно, что существует несколько передовых методов ИК-Фурье-спектроскопии для детальных оптоэлектронных исследований в средней ИК области (MIR).

Устройств на основе кремния, такие как интегральные схемы, играют важную роль в повседневной жизни. Кроме того, учитывая ограниченные запасы ископаемого топлива, солнечные элементы на основе кремния приобретают все большее и большее значение.

Ультратонкие слои на кремниевых подложках имеют важное значение для техники и исследований. Например, кристаллические кремниевые фотогальванические элементы часто покрывают слоями SiN для пассивирования и просветления.